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电子元器件详细资料 » IC[27569] » SISA10DN-T1-GE3
型号:SISA10DN-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.7 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs51nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2425pF @ 15V
功率_最大39W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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SISA10DN-T1-GE3相关型号

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